ଶକ୍ତି MOSFET ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତା: ସାଧାରଣ କାରଣ ଏବଂ ପ୍ରତିଷେଧକ ପଦକ୍ଷେପ ଉନ୍ମୋଚନ |

ମେଟାଲ୍-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର (MOSFETs) ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ଅପରିହାର୍ଯ୍ୟ ଉପାଦାନ ହୋଇପାରିଛି, ସେମାନଙ୍କର ଉନ୍ନତ ସୁଇଚ୍ କ୍ଷମତା ଏବଂ ଦକ୍ଷତା ହେତୁ | MOSFET ସଂରଚନା ମଧ୍ୟରେ ସନ୍ନିବେଶିତ ଏକ ଅବହେଳିତ ତଥାପି ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଉପାଦାନ: ଶରୀର ଡାୟୋଡ୍ | ସର୍କିଟ ସୁରକ୍ଷା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାରେ ଏହି ଅବିଚ୍ଛେଦ୍ୟ ଉପାଦାନ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ | ଅବଶ୍ୟ, MOSFET ବଡି ଡାୟୋଡଗୁଡିକ ବିଫଳତାର ଶିକାର ହୋଇପାରେ, ଯାହାକି ସର୍କିଟ ତ୍ରୁଟି ଏବଂ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ସୁରକ୍ଷା ବିପଦକୁ ନେଇଥାଏ | ପାୱାର୍ MOSFET ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତାର ସାଧାରଣ କାରଣ ବୁ standing ିବା ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଏବଂ ଦୃ ust ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଡିଜାଇନ୍ କରିବା ପାଇଁ ସର୍ବାଧିକ |

ଶକ୍ତି MOSFET ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତାର ମୂଳ କାରଣ ଉନ୍ମୋଚନ |

ଓଭରଭୋଲଟେଜ୍ ଚାପ: ବଡି ଡାୟୋଡ୍ର ରିଭର୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ରେଟିଂ ଅତିକ୍ରମ କରିବା ଦ୍ break ାରା ଆକସ୍ମିକ ଭାଙ୍ଗିବା ହୋଇପାରେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଡାୟୋଡ୍ ଜଙ୍କସନରେ ଅପୂରଣୀୟ କ୍ଷତି ହୋଇପାରେ | କ୍ଷଣସ୍ଥାୟୀ ଭୋଲଟେଜ୍ ସ୍ପାଇକ୍, ବଜ୍ରପାତ କିମ୍ବା ଅନୁପଯୁକ୍ତ ସର୍କିଟ୍ ଡିଜାଇନ୍ ଯୋଗୁଁ ଏହା ହୋଇପାରେ |

ଅତ୍ୟଧିକ ଚାପ: ଶରୀରର ଡାୟୋଡ୍ର ଅଗ୍ରଗାମୀ କରେଣ୍ଟ୍ ହ୍ୟାଣ୍ଡଲିଂ କ୍ଷମତାକୁ ଅତିକ୍ରମ କଲେ ଅତ୍ୟଧିକ ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ପନ୍ନ ହୋଇପାରେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଡାୟୋଡ୍ ଜଙ୍କସନ ତରଳିଯାଏ କିମ୍ବା ଖରାପ ହୋଇଯାଏ | ହାଇ-କରେଣ୍ଟ୍ ସୁଇଚ୍ ଇଭେଣ୍ଟ କିମ୍ବା ସର୍ଟ ସର୍କିଟ୍ ଅବସ୍ଥାରେ ଏହା ହୋଇପାରେ |

ପୁନରାବୃତ୍ତି ସୁଇଚ୍ ଚାପ: ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ MOSFET ର ବାରମ୍ବାର ସୁଇଚ୍ କରିବା ଦ୍ body ାରା ଶରୀରର ଡାୟୋଡ୍ ଜଙ୍କସନରେ ଥକାପଣ ସୃଷ୍ଟି ହୋଇପାରେ, ଯାହା ମାଇକ୍ରୋ ଫାଟ ଏବଂ ଶେଷରେ ବିଫଳତା ଘଟାଇଥାଏ | ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସୁଇଚ୍ ଏବଂ ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ଲୋଡ୍ ସହିତ ଜଡିତ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ଏହା ବିଶେଷ ଭାବରେ ପ୍ରଚଳିତ |

ପରିବେଶ କାରକ: ଅତ୍ୟଧିକ ତାପମାତ୍ରା, ଆର୍ଦ୍ରତା କିମ୍ବା କ୍ଷତିକାରକ ପଦାର୍ଥ ପରି କଠିନ ପରିବେଶର ସଂସ୍ପର୍ଶରେ ଆସିବା ଶରୀରର ଡାୟୋଡ୍ ଜଙ୍କସନ୍ର ଅବକ୍ଷୟକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରିପାରେ, ଯାହା ଅକାଳ ବିଫଳତାକୁ ନେଇଥାଏ |

ଉତ୍ପାଦନ ତ୍ରୁଟି: ବିରଳ ପରିସ୍ଥିତିରେ, ଉତ୍ପାଦନ ତ୍ରୁଟି ଯେପରିକି ଡାୟୋଡ୍ ଜଙ୍କସନରେ ଥିବା ଅପରିଷ୍କାରତା କିମ୍ବା ଗଠନମୂଳକ ତ୍ରୁଟି, ଶରୀରର ଡାୟୋଡ୍କୁ ବିଫଳ କରିପାରେ |

ଶକ୍ତି MOSFET ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତାକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ରଣନୀତି |

ଭୋଲଟେଜ୍ ସୁରକ୍ଷା: କ୍ଷଣସ୍ଥାୟୀ ଭୋଲଟେଜ୍ ସ୍ପାଇକ୍ ସୀମିତ ରଖିବା ଏବଂ ଶରୀରର ଡାୟୋଡ୍କୁ ଓଭରଭୋଲଟେଜ୍ ଚାପରୁ ରକ୍ଷା କରିବା ପାଇଁ ଜେନେର୍ ଡାୟୋଡ୍ କିମ୍ବା ଭାରିଷ୍ଟର୍ ପରି ଭୋଲ୍ଟେଜ୍-କ୍ଲାମିଂ ଉପକରଣଗୁଡିକ ନିୟୋଜିତ କରନ୍ତୁ |

ସାମ୍ପ୍ରତିକ ସୀମାବଦ୍ଧତା: ଶରୀରର ଡାୟୋଡ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ଅତ୍ୟଧିକ କରେଣ୍ଟ ପ୍ରବାହକୁ ରୋକିବା ପାଇଁ ଏବଂ ଫ୍ୟୁଜ୍ କିମ୍ବା ସକ୍ରିୟ କରେଣ୍ଟ୍ ସୀମିତ ସର୍କିଟ୍ ପରି କରେଣ୍ଟ୍-ସୀମିତ ପଦକ୍ଷେପଗୁଡିକ କାର୍ଯ୍ୟକାରୀ କର ଏବଂ ଏହାକୁ ଅତ୍ୟଧିକ କ୍ଷତିରୁ ରକ୍ଷା କର |

ସ୍ନୁବର୍ ସର୍କିଟ୍: ପରଜୀବୀ ଇନ୍ଦୁକାନ୍ସରେ ଗଚ୍ଛିତ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର କରିବା ଏବଂ ଶରୀରର ଡାୟୋଡ୍ ଉପରେ ସୁଇଚ୍ ଚାପ ହ୍ରାସ କରିବା ପାଇଁ ରେଜିଷ୍ଟର ଏବଂ କ୍ୟାପେସିଟରକୁ ନେଇ ଗଠିତ ସ୍ନବର୍ ସର୍କିଟ୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |

ପରିବେଶ ସୁରକ୍ଷା: ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକୁ ପ୍ରତିରକ୍ଷା ଏନକ୍ଲୋଜରରେ ଆବଦ୍ଧ କରନ୍ତୁ ଏବଂ ଶରୀରର ଡାୟୋଡ୍କୁ କଠିନ ପରିବେଶ କାରଣରୁ ରକ୍ଷା କରିବା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କନଫର୍ମାଲ୍ ଆବରଣ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ |

ଗୁଣବତ୍ତା ଉପାଦାନ: ଶରୀରର ଡାୟୋଡରେ ତ୍ରୁଟି ଉତ୍ପାଦନ ହେବାର ଆଶଙ୍କା କମ୍ କରିବାକୁ ଖ୍ୟାତିସମ୍ପନ୍ନ ନିର୍ମାତାମାନଙ୍କଠାରୁ ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣାତ୍ମକ MOSFET ଉତ୍ସ ଉତ୍ସ କରନ୍ତୁ |

ସିଦ୍ଧାନ୍ତ

ପାୱାର୍ MOSFET ବଡି ଡାୟୋଡ୍, ଯେତେବେଳେ ପ୍ରାୟତ over ଅଣଦେଖା କରାଯାଏ, ସର୍କିଟ ସୁରକ୍ଷା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିଥାଏ | ସେମାନଙ୍କର ବିଫଳତାର ସାଧାରଣ କାରଣ ବୁ and ିବା ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସିଷ୍ଟମର ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏବଂ ଦୀର୍ଘାୟୁ ନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ପ୍ରତିଷେଧକ ବ୍ୟବସ୍ଥା କାର୍ଯ୍ୟକାରୀ କରିବା ଜରୁରୀ ଅଟେ | ଏହି କ ies ଶଳଗୁଡିକ ଗ୍ରହଣ କରି, ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ମାନେ ଦୃ rob ସର୍କିଟ୍ ଡିଜାଇନ୍ କରିପାରିବେ ଯାହା ଚାହିଦା ଚାହିଦାକୁ ପ୍ରତିହତ କରେ ଏବଂ MOSFET ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତାର ବିପଦକୁ କମ୍ କରିଥାଏ, ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଉପକରଣର ଅଖଣ୍ଡତା ରକ୍ଷା କରିଥାଏ ଏବଂ ସାମଗ୍ରିକ ସିଷ୍ଟମ ସୁରକ୍ଷାକୁ ବ ancing ାଇଥାଏ |