MOSFET ବଡି ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତା ପଛରେ ଥିବା ଦୋଷଗୁଡ଼ିକୁ ଉନ୍ମୋଚନ |

ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ କ୍ଷେତ୍ରରେ, MOSFETs (ମେଟାଲ୍-ଅକ୍ସାଇଡ୍-ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫିଲ୍ଡ-ଇଫେକ୍ଟ ଟ୍ରାନଜିଷ୍ଟର୍) ସର୍ବବ୍ୟାପୀ ଉପାଦାନ ହୋଇପାରିଛି, ସେମାନଙ୍କର ଦକ୍ଷତା, ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ଏବଂ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପାଇଁ ପ୍ରଶଂସିତ | ଅବଶ୍ୟ, MOSFET ଗୁଡ଼ିକର ଏକ ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ଚରିତ୍ର, ଶରୀର ଡାୟୋଡ୍, ଏକ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ଦୁର୍ବଳତାକୁ ଉପସ୍ଥାପନ କରେ: ବିଫଳତା | ହଠାତ୍ ଭାଙ୍ଗିବା ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଅବକ୍ଷୟ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ MOSFET ବଡି ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତା ବିଭିନ୍ନ ରୂପରେ ପ୍ରକାଶ କରିପାରେ | ବ୍ୟୟବହୁଳ ଡାଉନଟାଇମକୁ ରୋକିବା ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସିଷ୍ଟମର ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ନିଶ୍ଚିତ କରିବା ପାଇଁ ଏହି ବିଫଳତାର ସାଧାରଣ କାରଣ ବୁ standing ିବା ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | ଏହି ବ୍ଲଗ୍ ପୋଷ୍ଟ MOSFET ଶରୀର ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତା ଦୁନିଆରେ ପ୍ରବେଶ କରେ, ଏହାର ମୂଳ କାରଣ, ନିଦାନ କ ques ଶଳ ଏବଂ ପ୍ରତିଷେଧକ ବ୍ୟବସ୍ଥା ଅନୁସନ୍ଧାନ କରେ |

MOSFET ବଡି ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତାର ସାଧାରଣ କାରଣଗୁଡ଼ିକରେ ବିତରଣ |

ଆଭାଲାନ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍: MOSFET ର ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଅତିକ୍ରମ କରିବା ଦ୍ୱାରା ଆଭାଲାନ୍ସ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ହୋଇପାରେ, ଯାହା ଶରୀରର ଡାୟୋଡ୍ର ଆକସ୍ମିକ ବିଫଳତାକୁ ନେଇପାରେ | ଅତ୍ୟଧିକ ଭୋଲଟେଜ୍ ସ୍ପାଇକ୍, ଓଭରଭୋଲଟେଜ୍ ଟ୍ରାନଜିଜାଣ୍ଟ କିମ୍ବା ବଜ୍ରପାତ ଯୋଗୁଁ ଏହା ହୋଇପାରେ |

ଓଲଟା ପୁନରୁଦ୍ଧାର ବିଫଳତା: ଓଲଟା ପୁନରୁଦ୍ଧାର ପ୍ରକ୍ରିୟା, MOSFET ଶରୀର ଡାୟୋଡ୍ ସହିତ ଅନ୍ତର୍ନିହିତ, ଭୋଲଟେଜ୍ ସ୍ପାଇକ୍ ଏବଂ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର କରିପାରେ | ଯଦି ଏହି ଚାପଗୁଡ଼ିକ ଡାୟୋଡ୍ର କ୍ଷମତା ଅତିକ୍ରମ କରେ, ଏହା ବିଫଳ ହୋଇପାରେ, ଯାହା ସର୍କିଟ୍ ତ୍ରୁଟିର କାରଣ ହୋଇଥାଏ |

ଅତ୍ୟଧିକ ଉତ୍ତାପ: ଅତ୍ୟଧିକ ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ପାଦନ, ପ୍ରାୟତ high ଉଚ୍ଚ ଅପରେଟିଂ ସ୍ରୋତ, ଅନୁପଯୁକ୍ତ ହିଟ୍ସିଙ୍କିଙ୍ଗ୍ କିମ୍ବା ପରିବେଶର ତାପମାତ୍ରା ଦ୍ caused ାରା ସୃଷ୍ଟି ହୁଏ, ଶରୀରର ଡାୟୋଡ୍ ସମେତ MOSFET ର ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ଗଠନକୁ ନଷ୍ଟ କରିପାରେ |

ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଡିସଚାର୍ଜ:

ଉତ୍ପାଦନ ତ୍ରୁଟି: ଅପରିଷ୍କାରତା, ଗଠନମୂଳକ ତ୍ରୁଟି, କିମ୍ବା ମାଇକ୍ରୋକ୍ରାକ୍ ପରି ଉତ୍ପାଦନ ଅସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣତା, ଶରୀରର ଡାୟୋଡରେ ଦୁର୍ବଳତା ଆଣିପାରେ, ଚାପରେ ବିଫଳତାର ସମ୍ବେଦନଶୀଳତା ବ increasing ାଇଥାଏ |

MOSFET ଶରୀର ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିବା |

ଭିଜୁଆଲ୍ ଇନ୍ସପେକ୍ଟନ୍: ଶାରୀରିକ କ୍ଷତିର ଲକ୍ଷଣ ପାଇଁ MOSFET ଯାଞ୍ଚ କରନ୍ତୁ, ଯେପରିକି ରଙ୍ଗୀନତା, ଫାଟ, କିମ୍ବା ପୋଡାଜଳା, ଯାହା ଅତ୍ୟଧିକ ଗରମ କିମ୍ବା ବ electrical ଦୁତିକ ଚାପକୁ ସୂଚାଇପାରେ |

ବ Elect ଦ୍ୟୁତିକ ମାପ: ଡାୟୋଡ୍ର ଫରୱାର୍ଡ ଏବଂ ରିଭର୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ମାପିବା ପାଇଁ ଏକ ମଲ୍ଟିମିଟର କିମ୍ବା ଓସିଲୋସ୍କୋପ୍ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତୁ | ଅସ୍ୱାଭାବିକ ପଠନ, ଯେପରିକି ଅତ୍ୟଧିକ ନିମ୍ନ ଫରୱାର୍ଡ ଭୋଲଟେଜ୍ କିମ୍ବା ଲିକେଜ୍ କରେଣ୍ଟ୍, ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତାକୁ ସୂଚିତ କରିପାରିବ |

ସର୍କିଟ୍ ଆନାଲିସିସ୍: ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ସ୍ତର, ସୁଇଚ୍ ସ୍ପିଡ୍ ଏବଂ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଲୋଡ୍ ସହିତ ସର୍କିଟ୍ର ଅପରେଟିଂ ସ୍ଥିତିକୁ ବିଶ୍ଳେଷଣ କରନ୍ତୁ, ସମ୍ଭାବ୍ୟ ଚାପକୁ ଚିହ୍ନଟ କରିବା ପାଇଁ ଯାହା ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତା ପାଇଁ ସହାୟକ ହୋଇପାରେ |

MOSFET ଶରୀର ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତାକୁ ରୋକିବା: ସକ୍ରିୟ ପଦକ୍ଷେପ |

ଭୋଲଟେଜ୍ ସୁରକ୍ଷା: ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ସ୍ପାଇକ୍ ସୀମିତ ରଖିବା ଏବଂ MOSFET କୁ ଓଭରଭୋଲଟେଜ୍ ଅବସ୍ଥାରୁ ରକ୍ଷା କରିବା ପାଇଁ ଜେନେର୍ ଡାୟୋଡ୍ କିମ୍ବା ଭାରିଷ୍ଟର୍ ପରି ଭୋଲଟେଜ୍ ସୁରକ୍ଷା ଉପକରଣ ନିୟୋଜିତ କରନ୍ତୁ |

ସ୍ନବର୍ ସର୍କିଟ୍: ରେଜିଷ୍ଟର ଏବଂ କ୍ୟାପେସିଟରକୁ ନେଇ ଗଠିତ ସ୍ନବର୍ ସର୍କିଟ୍କୁ କାର୍ଯ୍ୟକାରୀ କର, ଭୋଲ୍ଟେଜ୍ ସ୍ପାଇକ୍କୁ ହ୍ରାସ କରିବା ଏବଂ ଓଲଟା ପୁନରୁଦ୍ଧାର ସମୟରେ ଶକ୍ତି ବିସ୍ତାର କରିବା, ଶରୀରର ଡାୟୋଡ୍ ଉପରେ ଚାପ ହ୍ରାସ କରିବା |

ସଠିକ୍ ହିଟ୍ସିଙ୍କିଙ୍ଗ୍: MOSFET ଦ୍ ated ାରା ଉତ୍ପାଦିତ ଉତ୍ତାପକୁ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ବିସ୍ତାର କରିବା ପାଇଁ ପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ହିଟ୍ସିଙ୍କିଙ୍ଗ୍ ନିଶ୍ଚିତ କରନ୍ତୁ, ଅତ୍ୟଧିକ ଗରମ ଏବଂ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ଡାୟୋଡ୍ କ୍ଷତିକୁ ରୋକନ୍ତୁ |

ESD ସୁରକ୍ଷା: ESD ସୁରକ୍ଷା ପଦକ୍ଷେପଗୁଡିକ କାର୍ଯ୍ୟକାରୀ କର, ଯେପରିକି ଗ୍ରାଉଣ୍ଡିଂ ଏବଂ ଷ୍ଟାଟିକ୍-ଡିସିପିଟିଭ୍ ହ୍ୟାଣ୍ଡଲିଂ ପ୍ରଣାଳୀ, ESD ଘଟଣାର ବିପଦକୁ କମ୍ କରିବାକୁ ଯାହା MOSFET ର ଶରୀର ଡାୟୋଡ୍ କୁ କ୍ଷତି ପହଞ୍ଚାଇପାରେ |

ଗୁଣବତ୍ତା ଉପାଦାନଗୁଡିକ: ଉତ୍ପାଦନ ତ୍ରୁଟିର ସମ୍ଭାବନାକୁ କମ୍ କରିବା ପାଇଁ କଠୋର ଗୁଣବତ୍ତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ମାନାଙ୍କ ସହିତ ଖ୍ୟାତିସମ୍ପନ୍ନ ଉତ୍ପାଦନକାରୀଙ୍କଠାରୁ ଉତ୍ସ MOSFETs ଯାହା ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତାକୁ ନେଇପାରେ |

ସିଦ୍ଧାନ୍ତ

MOSFET ବଡି ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସିଷ୍ଟମରେ ଗୁରୁତ୍ challenges ପୂର୍ଣ୍ଣ ଆହ୍ .ାନ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ, ଯାହା ସର୍କିଟ୍ ତ୍ରୁଟି, କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଅବକ୍ଷୟ, ଏବଂ ଉପକରଣ ନଷ୍ଟ ମଧ୍ୟ କରିପାରେ | ସାଧାରଣ କାରଣ, ଡାଇଗ୍ନୋଷ୍ଟିକ୍ କ ques ଶଳ, ଏବଂ MOSFET ବଡି ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳତା ପାଇଁ ପ୍ରତିଷେଧକ ବ୍ୟବସ୍ଥା ବୁ their ିବା ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ ଏବଂ ଟେକ୍ନିସିଆନମାନଙ୍କ ପାଇଁ ସେମାନଙ୍କର ସର୍କିଟ୍ ର ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ଏବଂ ଦୀର୍ଘାୟୁ ନିଶ୍ଚିତ କରିବା ଜରୁରୀ | ଭୋଲଟେଜ୍ ସୁରକ୍ଷା, ସ୍ନବର୍ ସର୍କିଟ୍, ସଠିକ୍ ହିଟ୍ସିଙ୍କିଙ୍ଗ୍, ESD ସୁରକ୍ଷା ଏବଂ ଉଚ୍ଚମାନର ଉପାଦାନଗୁଡିକ ବ୍ୟବହାର କରି ସକ୍ରିୟ ପଦକ୍ଷେପଗୁଡିକ କାର୍ଯ୍ୟକାରୀ କରି, MOSFET ବଡି ଡାୟୋଡ୍ ବିଫଳ ହେବାର ଆଶଙ୍କା ଯଥେଷ୍ଟ ହ୍ରାସ ହୋଇପାରେ, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ସିଷ୍ଟମର ସୁଗମ କାର୍ଯ୍ୟ ଏବଂ ବର୍ଦ୍ଧିତ ଜୀବନକାଳ ନିଶ୍ଚିତ କରେ |